- صفحه اصلی
- دانلود دیتاشیت
- دیتاشیت SI4174DY-T1-GE3
Vishay Intertech SI4174DY-T1-GE3 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت | SI4174DY-T1-GE3 |
|---|---|
| حجم فایل | 75.903 کیلوبایت |
| نوع فایل | |
| تعداد صفحات | 9 |
دانلود دیتاشیت SI4174DY-T1-GE3 |
دانلود دیتاشیت |
|---|
سایر مستندات
مستندات دیگری یافت نشد!
مشخصات فنی
- RoHS: true
- Type: 1 N-channel
- Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
- Datasheet: Vishay Intertech SI4174DY-T1-GE3
- Operating Temperature: -55°C~+150°C
- Power Dissipation (Pd): 3.2W
- Total Gate Charge (Qg@Vgs): 8nC@10V
- Drain Source Voltage (Vdss): 30V
- Input Capacitance (Ciss@Vds): 985pF@15V
- Continuous Drain Current (Id): 17A
- Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 2.2V@250uA
- Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 76pF@15V
- Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 0.0095Ω@10V,17A
- Package: SOIC-8